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IBM发明新缓存技术 缓存数量可提高2倍
作者: 不详 | 发布时间: 2007-02-15 13:33 | 信息类别: 服务范围 | 访问人次:
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IBM发明新缓存技术 缓存数量可提高2倍
2007-02-15 12:33:54




2月15日国际报道:本周三,IBM公布了一种在处理器上集成内存的新方法。它认为这将极大地提高芯片的性能。

从明年的0.045微米工艺开始,IBM将在处理器上集成嵌入DRAM而不是SRAM
,使处理器上的内存数量增长2倍。IBM负责0.045微米工艺开发的主管苏布说,IBM计划在国际固态电路会议(ISSCC)上公布这一成果。

现代的处理器都集成了缓存,这使得芯片能够在靠近CPU非常近的地方存储经常使用的数据,提高对这些数据的访问速度。多年来,芯片厂商一直在处理器上使用SRAM,但是,随着芯片越来越小,SRAM已经不能满足芯片的需求。问题在于泄露电流,设计人员将目光转向了嵌入DRAM,它要求死里逃生的晶体管,而且不大容易泄露电流。

苏布表示,问题是,目前还没有一家厂商解决在SOI工艺中使用嵌入DRAM的问题。IBM在Power5等芯片中使用了SOI工艺,在BlueGene处理器等芯片中使用了嵌入DRAM,但IBM还没有能够将二者结合起来。苏布表示,IBM计划在ISSCC上公布这一突破。

苏布说,采用IBM的0.045微米工艺制造的处理器将是首批利用嵌入DRAM的产品,这类处理器计划在2008年上市销售。IBM计划在这类处理器上集成24-48MB缓存。相比之下,计划于今年晚些时候上市销售的Power6集成有8MB缓存。

英特尔已经公布了SRAM之外的其它缓存技术━━浮点单元。英特尔的Montecito版安腾芯片集成有24MB缓存。
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